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英飞凌推出全新 OptiMOS™ 6 40 V 系列:具备优异的 RDS(on
来源: 未知 发布时间: 2019-04-09 浏览次数:101

英飞凌科技推出全新 OptiMOS™ 6 系列,为分立式功率 MOSFET 技术奠定新技术标准。新产品系列采用英飞凌薄晶圆技术,提供显著的效能优势,并涵盖宽广的电压范围。全新 40 V MOSFET 系列已针对 SMPS 的同步整流进行最佳化,适用于服务器、桌上型电脑、无线充电器、快速充电器及 ORing 电路。

英飞凌推出新款 OptiMOS™ 6 功率MOSFET 40V 系列产品,采用SuperSO8 与PQFN 封装

相较于前一代产品,新款OptiMOS 6 40 V 的导通电阻降低了 30%,具备更佳的优质系数 (Qg x RDS(on) 降低 29%、Qgd x RDS(on) 降低 46%)。因此新款装置在 SMPS 应用中成为在宽广输出功率范围内进行效率最佳化的理想选择,避免在低负载和高负载状况之间进行取舍。

其效率曲线明确显示 OptiMOS 6 在低输出功率位准表现上优于前代产品,这归功于其优异的切换效率。即使 RDS(on) 损耗较大时,但仍可在较高的输出功率上维持上述优点。因此,可简化散热设计并减少并联数量,进而降低系统成本。

供货情形
OptiMOS 6 功率 MOSFET 40 V 系列提供两种不同的封装:
SuperSO8 尺寸为 5 mm x 6 mm、RDS(on)  范围从 0.7 m 至 5.9 m
PQFN 3x3 尺寸为 3.3 mm x 3.3 mm、RDS(on) 范围从1.8 m 至 6.3 m

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